类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：130V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：130V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：35A
　　功率耗散（Pd）：130W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.035Ω（最大值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

DV3R035N13E具备多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件的导通电阻极低，最大仅为0.035Ω，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率，尤其适用于高频开关应用。低Rds(on)还意味着在工作过程中产生的热量较少，从而提升了系统的稳定性和可靠性。
　　其次，DV3R035N13E的漏极-源极电压额定值为130V，漏极电流额定值为35A，能够胜任大多数高功率需求的场景。其功率耗散为130W，结合良好的散热设计，可以保证器件在高负载条件下稳定运行。
　　此外，该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合焊接在PCB上使用，广泛应用于各种功率模块和电源系统中。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制，同时具备较高的抗干扰能力和稳定性。阈值电压在2V至4V之间，确保了器件在正常工作电压下能够可靠导通。
　　最后，该器件具备出色的热稳定性和抗短路能力，能够在极端工作条件下保持性能，特别适用于工业和汽车电子领域中对可靠性有高要求的应用。

DV3R035N13E主要应用于需要高效功率转换和控制的各类电子系统中。
　　首先，在电源管理领域，该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器、开关电源（SMPS）和电池管理系统中，其低导通电阻和高电流能力能够有效提升转换效率，减少能量损耗。
　　其次，在电机控制和驱动电路中，如直流电机驱动、无刷电机控制和伺服系统，DV3R035N13E能够承受较高的瞬态电流并提供快速的开关响应，适合用于H桥电路或PWM控制方案。
　　此外，在工业自动化设备、UPS不间断电源、逆变器和储能系统中，该器件也广泛用于功率开关和负载切换控制。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，DV3R035N13E也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动车窗控制模块等。
　　总之，DV3R035N13E凭借其高性能参数和广泛适用性，是各类高功率、高效率电子系统中的理想选择。

SiHF35N130D, IRF3710, FDP35N130, TK3R035N13Z