型号：IX2166AX-2
　　封装：SOIC-16
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　输出电流（峰值）：4A（典型值）
　　传播延迟时间：10ns（典型值）
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL 兼容
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　高压侧浮动电压：最高可达+600V
　　输出驱动电压范围：高端输出为VB 至 VS，低端输出为VCC 至 GND
　　驱动能力：支持高频率开关操作，最高工作频率可达1MHz

IX2166AX-2 具备多项高性能特性，适用于高频、高可靠性的功率转换应用。
　　首先，该芯片内置两个独立的高速栅极驱动通道，分别用于高端和低端功率器件的驱动，具备对称性强、时序精度高的特点，确保在高频工作下的稳定性和效率。其输出峰值电流高达4A，能够有效驱动大功率MOSFET或IGBT，提升系统的开关速度和响应能力。
　　其次，该芯片采用了高压浮动技术，高端通道可在高达600V的电压下正常工作，适用于半桥或全桥拓扑结构中的高边开关驱动。其自举供电机制简化了外部电源设计，降低了系统的复杂度和成本。
　　此外，IX2166AX-2 的传播延迟时间仅为10ns，且上下桥臂之间的延迟匹配度高，有助于减小死区时间，提升系统效率并降低开关损耗。其输入端支持CMOS/TTL逻辑电平，兼容多种控制器的输出信号，增强了系统的灵活性。
　　芯片还具备过温保护和欠压锁定（UVLO）功能，确保在异常工作条件下自动关闭输出，防止损坏功率器件，提高系统的可靠性和安全性。IX2166AX-2 的 SOIC-16 封装形式具有良好的热性能和空间利用率，适合紧凑型功率电子设备的设计。

IX2166AX-2 被广泛应用于各种需要高速、高压驱动的功率电子系统中。例如，在开关电源（SMPS）中，该芯片可用于驱动半桥或全桥结构的功率MOSFET，提高电源转换效率并减小体积；在电机驱动系统中，它可为H桥结构的上下桥臂提供高效驱动，实现精确的转速和方向控制；在逆变器系统中，如光伏逆变器、UPS不间断电源等，该芯片能够胜任高电压、高频率的开关操作，确保系统稳定运行。
　　此外，IX2166AX-2 也适用于LED照明驱动、感应加热设备、电动车充电器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和宽工作电压范围，该芯片也常用于需要长时间连续运行的工业和汽车电子应用中。

IR2166S, IX2166MTC, IRS2166PBF