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IX1791CE 发布时间 时间:2025/9/21 10:37:15 查看 阅读:6

IX1791CE是一款由IXYS公司生产的高性能、高电压、高电流的MOS门驱动集成电路,专为驱动功率MOSFET、IGBT以及SIT等电压控制型功率器件而设计。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、DC-AC转换器和工业控制系统中。其主要功能是将来自控制器(如微处理器或PWM控制器)的低电平逻辑信号转换为能够快速驱动大功率开关器件的高电流栅极驱动信号。IX1791CE具备优异的噪声抑制能力,能够在高dV/dt环境下稳定工作,确保功率开关器件的可靠开关操作。该器件采用先进的高压CMOS/DMOS工艺制造,集成度高,外围元件少,有助于简化电路设计并提高系统可靠性。此外,IX1791CE内置了多种保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、过流保护和热关断机制,以增强系统的安全性和稳定性。它支持单通道驱动,输出驱动能力强,峰值输出电流可达±1.5A,能够有效缩短功率器件的开关时间,降低开关损耗,提升整体系统效率。封装形式通常为DIP-8或SOIC-8,便于在各种工业和消费类电子设备中使用。

参数

型号:IX1791CE
  制造商:IXYS(现隶属于Littelfuse)
  封装类型:DIP-8 / SOIC-8
  工作电压范围(VDD):10V 至 20V
  输入逻辑兼容性:TTL/CMOS 兼容
  峰值输出电流:±1.5A
  最大输出电压:20V
  上升时间(典型值):30ns(1000pF负载)
  下降时间(典型值):25ns(1000pF负载)
  传播延迟时间:50ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  隔离电压(若适用):>1500Vrms(通过内部高压电平位移技术实现)
  驱动方式:单通道高端/低端可配置
  输入与输出隔离:集成高压电平位移电路
  静态电流(待机):<5mA
  开关频率支持:高达500kHz

特性

IX1791CE的核心特性之一是其集成了高压电平位移技术,使其能够在高端开关应用中直接驱动连接在母线电压上的功率器件。这种设计允许输入侧的低压控制信号通过内部的电平位移电路传递到高压侧的输出驱动级,从而实现对高边MOSFET或IGBT的有效控制。该芯片的驱动输出级采用图腾柱结构,提供强大的拉电流和灌电流能力,峰值达±1.5A,能够快速充放电功率器件的栅极电容,显著减少开关过渡时间,降低导通和关断过程中的能量损耗,这对于提高电源转换效率至关重要。
  另一个关键特性是其出色的抗噪声能力和高共模瞬态抗扰度(CMTI),可在高达±50kV/μs的电压变化率下正常工作,避免因高dV/dt引起的误触发或误导通现象。这一性能对于在高频开关环境中工作的系统尤为关键,例如在电机驱动或太阳能逆变器中。
  芯片内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,当供电电压低于设定阈值时,输出将被强制关闭,防止因电压不足导致的驱动能力下降或功率器件半开通状态,从而避免过热损坏。同时,IX1791CE还具备热关断保护功能,在芯片温度超过安全限值时自动关闭输出,待温度恢复后重新启动,提升了系统的长期运行可靠性。
  该器件支持宽范围的输入逻辑电平,兼容TTL和CMOS电平标准,便于与各种微控制器、DSP或PWM控制器接口连接。其紧凑的封装和最少的外部元件需求使得PCB布局更加简洁,降低了生产成本和故障率。此外,IX1791CE的工作温度范围宽达-40°C至+125°C,适用于严苛的工业环境。

应用

IX1791CE广泛应用于需要高效、可靠驱动功率开关器件的各种电力电子系统中。在开关电源(SMPS)领域,它常用于有源钳位正激、LLC谐振变换器、全桥或半桥拓扑结构中,作为主开关管的驱动核心,确保快速响应和低损耗切换。在电机驱动系统中,特别是交流伺服驱动器和无刷直流电机控制器中,IX1791CE用于驱动H桥或三相逆变桥中的上桥臂IGBT或MOSFET,实现精确的速度和转矩控制。
  在可再生能源系统中,如光伏逆变器和风力发电变流器,IX1791CE被用于DC-AC转换环节,驱动功率级中的开关器件,帮助实现高效率的能量转换和并网控制。由于其具备高抗干扰能力和宽温工作范围,也适合用于工业自动化设备中的功率模块驱动,例如变频器、UPS不间断电源和焊接电源等。
  此外,在电动汽车充电系统、电动工具电源管理以及大功率LED驱动电源中,IX1791CE同样表现出色。其高集成度和高可靠性使其成为工程师在设计中高压、高频率开关应用时的理想选择。无论是需要高端浮动驱动还是低端接地参考驱动,IX1791CE都能灵活配置以满足不同拓扑结构的需求,极大地提升了系统设计的通用性和可扩展性。

替代型号

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