类型：MOSFET驱动器
　　拓扑结构：高边/低边驱动
　　驱动电压范围：10V ~ 20V
　　输出电流：1.6A（峰值）
　　传播延迟：13ns（典型值）
　　上升/下降时间：4ns / 3ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：8引脚SOIC
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　欠压锁定保护（UVLO）：有
　　输出端口数量：1路

IX1116EN4 具备多项高性能特性，首先其高速驱动能力确保了在高频开关应用中实现高效能转换。13ns 的典型传播延迟和快速的上升/下降时间（分别为4ns和3ns）有助于减少开关损耗，提高系统效率。
　　其次，该芯片采用宽范围的供电电压设计，支持10V至20V输入，适用于多种功率器件的驱动需求，同时具备良好的抗电压波动能力。
　　此外，IX1116EN4 内置欠压锁定（UVLO）功能，当供电电压低于安全阈值时，驱动器将自动关闭输出，防止因驱动电压不足导致的功率器件误操作或损坏，提高了系统的稳定性和安全性。
　　该器件还具备较强的抗干扰能力，输入端兼容 TTL 和 CMOS 逻辑电平，适用于多种控制电路接口。其封装形式为8引脚SOIC，便于PCB布局与散热，适用于紧凑型电源设计。
　　IX1116EN4 的高驱动电流能力（峰值达1.6A）使其能够快速充放电MOSFET的栅极电容，从而加快开关速度，降低导通和关断损耗，适用于需要高频率工作的电源拓扑结构如半桥、全桥或同步整流等。

IX1116EN4 主要应用于需要高速驱动功率MOSFET或IGBT的场合，包括但不限于以下领域：
　　开关电源（SMPS）中用于驱动同步整流MOSFET，提高转换效率；
　　电机驱动系统中作为H桥结构的驱动核心，实现快速响应与高精度控制；
　　DC-DC转换器中用于驱动高边和低边开关器件，支持高频工作模式；
　　逆变器和UPS系统中用于驱动功率桥式电路，提升系统响应速度与稳定性；
　　LED照明驱动、电焊机、电池充电器等工业和消费类电源设备中作为高效驱动方案；
　　此外，IX1116EN4 也适用于各种需要高可靠性与高性能驱动能力的高频功率转换系统。

IX1115EN4, IR2104, TC4420, MIC5021, UCC27424