时间：2025/8/27 17:09:22
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IX0603CE是一款由日本公司IXYS生产的功率MOSFET晶体管，广泛应用于各种高功率和高频电子电路中。这款MOSFET具有优异的导通性能和较低的开关损耗，使其在DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制等应用中表现卓越。IX0603CE采用了先进的沟槽栅极技术，提高了电流处理能力和热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：30A（连续）
导通电阻(Rds(on))：6.0mΩ（最大）
功率耗散(Pd)：160W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220AB
IX0603CE的主要特性包括极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流处理能力使其适用于高功率密度设计。该器件还具有快速的开关速度，减少了开关过程中的能量损耗，适合高频操作。此外，IX0603CE具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定性能，延长设备的使用寿命。器件内部的沟槽栅极设计优化了电流分布，减少了热点形成的风险。
IX0603CE常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具和电机控制电路。在汽车电子领域，该器件也广泛应用于车载充电器、启停系统和电动助力转向系统。此外，IX0603CE还可用于工业自动化设备、UPS系统和高功率LED照明驱动电路。
IX0603CES，IX0603CE1，IX0603CE2
