ITXH50N15A 时间：2025/8/5 17:51:28 阅读：27

ITXH50N15A是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率密度和高效能应用设计，适用于电源管理、电机控制、工业自动化和DC-DC转换器等场景。ITXH50N15A采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，能够在高频率下运行，提供优异的开关性能和热稳定性。该MOSFET通常采用TO-220封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：150V
　　漏极电流（ID）：50A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.022Ω（最大）
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：195W
　　输入电容（Ciss）：2600pF
　　开关时间（ton/off）：18ns / 35ns

特性

ITXH50N15A具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻，确保了在高电流应用中最小的功率损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式结构，增强了电流传输能力，同时降低了开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　此外，ITXH50N15A具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，且封装设计有助于有效散热，提升整体系统的可靠性。该器件的栅极驱动电压范围宽泛，支持多种控制电路的兼容性。
　　该MOSFET还具备较强的短路耐受能力，能够承受瞬态过载电流，适用于工业和汽车电子等对可靠性和耐用性要求较高的环境。

应用

ITXH50N15A广泛应用于多种高功率和高频场合，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备、LED照明驱动电路以及汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）。
　　由于其优异的导通性能和热管理能力，该器件特别适合需要高效能和高可靠性的设计，例如在新能源领域中的光伏逆变器和电动汽车的电池管理系统中也能找到其应用。