类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　漏极电流（Id）：50A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.022Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：160W

ITXH50N15的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这种低Rds(on)特性使其非常适合用于高电流应用，如DC-DC转换器和电动机控制电路。
　　其次，该MOSFET具有高耐压能力（150V），能够在高压环境中稳定运行，适用于各种工业和汽车电子系统。
　　此外，ITXH50N15的高电流承载能力（50A）结合良好的热管理性能，使其在高功率负载下依然保持稳定运行，降低了过热风险。
　　其TO-220封装形式不仅提供了优良的散热性能，还便于安装在标准散热片上，适用于多种电路板布局。
　　该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，适用于高频开关电源应用。
　　最后，ITXH50N15的工作温度范围宽泛（-55°C至175°C），能够适应严苛的环境条件，确保在各种应用中稳定运行。

ITXH50N15被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 电源管理：用于高效率的DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和稳压器设计，提高能源利用率。
　　2. 电动机控制：适用于工业自动化设备中的电机驱动器，提供高效的功率控制。
　　3. 电池管理系统：用于电池充电器和放电保护电路，确保电池安全和高效运行。
　　4. 工业控制系统：作为功率开关用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动和负载控制。
　　5. 汽车电子：用于汽车电气系统，如车载充电器、启动系统和电动助力转向系统（EPS）等。
　　6. 可再生能源系统：如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
　　这些应用均得益于ITXH50N15的高效能、高可靠性和良好的热管理能力。

IXTH50N15（L）、IRF540N、IXTK50N15、SiHH50N15