时间：2025/8/5 20:56:32
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ITXH25N50是一款由Infineon Technologies（英飞凌）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高功率和高频率的电力电子系统中。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻、高耐压能力和高开关性能，适用于电源转换器、电机驱动器和DC-DC变换器等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：0.22Ω
栅极电荷(Qg)：67nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：200W
ITXH25N50具备低导通电阻的特性，这意味着它在导通状态下具有较低的功耗，能够提高整体系统效率。同时，其高耐压能力允许在高压电路中使用，而不会导致性能下降或击穿风险。
这款MOSFET的高开关性能确保在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，这对电源转换器和高频逆变器尤为重要。此外，该器件的封装设计具有良好的散热能力，有助于提高器件的可靠性并延长使用寿命。
ITXH25N50还具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行，适用于各种严苛的工业和汽车应用场合。
ITXH25N50广泛应用于各种电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、光伏逆变器、电动汽车充电设备以及工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效能电源转换系统的理想选择。此外，该器件也可用于功率因数校正（PFC）电路和高频逆变器等高要求的电子系统。
IXFH25N50P, FDPF25N50, IRFP460LC
