类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：550V
　　最大漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压范围：-20V ~ +20V
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

ITXH20N55A MOSFET具备多项优异特性，使其适用于高要求的功率电子系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高漏源击穿电压（550V），能够在高电压环境下稳定工作，适应多种电源拓扑结构。
　　此外，ITXH20N55A的最大漏极电流为20A，支持大功率输出，适用于高负载应用。其高热稳定性确保在高温环境下仍能保持良好的性能。该MOSFET的封装形式为TO-247，便于散热设计和安装，适用于多种PCB布局。
　　在开关性能方面，ITXH20N55A具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。同时，其栅极电压范围为-20V至+20V，提供良好的驱动兼容性，适用于多种驱动电路。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统的稳定性和可靠性。

ITXH20N55A MOSFET主要应用于各类高效能功率电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，该器件可作为主开关，用于实现高效率的AC-DC或DC-DC转换。在电机驱动系统中，它可用于控制电机的启停和调速，适用于工业自动化和电动工具等领域。
　　此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS），用于控制充放电过程，确保电池组的安全运行。在光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电系统中，ITXH20N55A也能发挥重要作用，提供稳定高效的功率控制。此外，它还可用于高频变换器、电焊机、电磁感应加热等高功率应用场合。

IXFH20N55P, FGA20N550, STXH20N55A