类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：250V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：24A
　　脉冲漏极电流（Idm）：96A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.115Ω
　　导通电阻（Rds(on))@4.5V Vgs：0.145Ω
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1200pF @ 25V Vds
　　输出电容（Coss）：370pF @ 25V Vds
　　反向恢复时间（trr）：47ns
　　最大功耗（Pd）：200W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FMV24N25G采用了先进的平面MOSFET制造工艺，具备出色的电气性能和热管理能力。其低导通电阻Rds(on)确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，显著提升电源系统的整体效率。例如，在10V栅极驱动下，Rds(on)仅为115mΩ，这意味着在20A负载电流下，导通损耗仅为46W（I2R），有效减少了发热问题。此外，该器件在4.5V Vgs下的Rds(on)也控制在145mΩ以内，表明其适用于宽范围的栅极驱动电压，包括逻辑电平驱动电路，增强了其在不同应用环境中的适应性。
　　该MOSFET具有较低的输入和输出电容，Ciss为1200pF，Coss为370pF，这使得其在高频开关应用中表现优异。较小的电容意味着更少的充放电能量消耗，从而降低了开关过程中的动态损耗。这对于现代高频率开关电源（如LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑）尤为重要。同时，较低的栅极电荷（Qg）进一步提升了开关速度，缩短了开通和关断时间，有助于实现更高的转换效率和更小的磁性元件尺寸。
　　FMV24N25G具备良好的热稳定性和长期可靠性。其最大功耗可达200W，配合适当的散热措施，可在高温环境下稳定运行。器件的结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业和消费类应用的需求。此外，该MOSFET通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在严苛工作条件下的长期稳定性。
　　另一个关键特性是其较强的雪崩耐量能力。在突发的电压浪涌或感性负载切换过程中，MOSFET可能承受超过额定电压的瞬态应力。FMV24N25G设计时考虑了单脉冲和重复脉冲雪崩能量（EAS），能够在非重复条件下承受一定的过压冲击而不发生永久性损坏，提高了系统在异常工况下的安全裕度。这一特性对于提高电源系统的鲁棒性和降低故障率具有重要意义。
　　封装方面，TO-220F为一种常见的通孔安装封装，具有良好的散热性能和机械强度。其绝缘底板设计便于安装散热片，适用于需要较高功率密度的应用场景。同时，该封装符合行业标准，易于集成到现有PCB布局中，降低了设计复杂度和生产成本。

FMV24N25G广泛应用于各类中等电压功率转换系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作主开关管，特别是在反激式、正激式或半桥拓扑结构中，负责将直流电压斩波为高频交流信号，进而通过变压器实现电压变换和隔离。由于其250V的额定电压，特别适用于输入电压在100~240V AC范围内的通用输入电源适配器、充电器和LED驱动电源。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑结构中，作为功率开关元件，实现高效的电压调节功能。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效率要求的应用中表现突出，如服务器电源、通信设备电源模块以及新能源系统中的功率调节单元。
　　此外，FMV24N25G也可用于电机驱动电路，尤其是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，作为上下桥臂的开关元件。其高电流承载能力和快速响应特性能够满足电机启停、调速和反转等操作需求，同时减少因导通损耗引起的温升问题。
　　在照明领域，尤其是高亮度LED驱动电源中，该MOSFET可用于恒流源电路中的开关元件，确保LED在稳定电流下工作，延长使用寿命并提高光效。其良好的热特性和可靠性也使其适用于长时间运行的照明系统。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、电焊机电源以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。凭借其综合性能优势，FMV24N25G成为多种中功率电子系统中不可或缺的核心元器件。

FQP24N25, K24N25, STP24N25F8, IRFBC20