时间：2025/8/5 20:38:52
阅读：20
ITXH20N55 是由英飞凌（Infineon）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET晶体管，适用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，能够满足如电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统等广泛应用的需求。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：20A
最大漏源电压（Vds）：55V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约22mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散（Ptot）：60W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
ITXH20N55 MOSFET具备多项显著特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。其次，该器件支持较高的栅源电压（±20V），具备良好的栅极电压容限，适用于多种驱动电路设计。
此外，ITXH20N55采用TO-220封装，具有良好的热管理和散热性能，适用于高功率密度应用场景。该封装也便于安装散热片，进一步提升器件的热稳定性。同时，该MOSFET具有快速开关能力，减少开关损耗，提高系统响应速度。
该器件的耐用性和稳定性在工业级温度范围内（-55°C至175°C）得到验证，适合在严苛环境下运行。ITXH20N55还具备良好的抗雪崩能力，提高在高能脉冲环境下的可靠性。
ITXH20N55广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：电源供应器、DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、电动车充电模块以及工业自动化控制系统等。其高效率、高可靠性和良好的热管理能力，使其成为高性能电源转换方案的理想选择。
IPD90N06S4-03, IRLZ44N, FDPF20N55, STP20N55
