时间：2025/6/20 20:31:25
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MT18N101K500CT 是一种基于动态随机存取存储器（DRAM）技术的半导体芯片。它主要用于需要高密度数据存储和快速访问的应用场景，例如服务器、工作站和个人电脑等。该芯片采用了先进的制程工艺，具有低功耗和高稳定性的特点。
该型号属于 Micron Technology 公司旗下的 MT18 系列 DRAM 芯片产品线，专为满足现代计算设备对大容量内存的需求而设计。
类型：DRAM
容量：1 Gb
组织方式：128M x 8
电压：1.35V / 1.5V
接口：DDR3
速度：800 MT/s (PC3-6400)
封装类型：FBGA
引脚数：96
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据宽度：x8
MT18N101K500CT 提供了多种显著特性以支持高性能计算需求。首先，其 DDR3 接口使得数据传输速率高达 800 MT/s，能够有效提升系统性能。
其次，这款芯片支持自动刷新和自我刷新功能，从而在系统待机时减少功耗并保持数据完整性。
此外，它具备强大的错误检测能力，包括奇偶校验和 ECC（纠错码）支持，保证了数据的可靠性。
最后，该芯片兼容多种电压模式（1.35V 和 1.5V），这使其可以灵活适应不同平台的需求。
MT18N101K500CT 广泛应用于对内存性能要求较高的场合，如服务器、台式机、笔记本电脑和其他嵌入式系统中。它特别适合用于需要大量临时数据存储的环境，例如虚拟化、云计算和大数据分析等领域。
此外，由于其低功耗特性和高稳定性，该芯片也常被用于移动设备和便携式电子产品的内存解决方案中。
总之，MT18N101K500CT 的高性能和灵活性使其成为许多现代电子设备的理想选择。
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