类型：N沟道
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　最大漏-源电压（Vds）：450V
　　最大栅-源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.38Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-247、D2PAK（具体取决于制造商）

ITXH12N45功率MOSFET具有多项优异特性，适用于高要求的功率电子系统。
　　首先，其高达450V的漏-源击穿电压（Vds）使其适用于中高压电源应用，如AC-DC转换器、DC-DC变换器和PFC（功率因数校正）电路。在高频开关应用中，该器件能够有效降低开关损耗，提高整体效率。
　　其次，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）可显著减少导通状态下的功率损耗，从而提升系统的能效并降低温升。这在高电流负载应用中尤为重要，有助于减少散热器的尺寸和成本。
　　此外，ITXH12N45具备良好的热稳定性和过载能力，在高温环境下依然能保持稳定工作。其栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容常见的驱动电路设计，简化了外围电路的配置。
　　该器件还具有快速开关特性，适用于高频率PWM（脉宽调制）控制，有助于减小磁性元件的尺寸，提高电源系统的功率密度。其耐用性和可靠性使其在工业级和汽车级应用中都具有广泛的应用前景。

ITXH12N45广泛应用于各类高电压、高功率电子系统中。常见的应用包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC和DC-DC转换器中，作为主开关器件，实现高效能的能量转换。
　　2. 电机控制和驱动：在电机控制电路中作为功率开关，适用于变频器、伺服驱动器和无刷直流电机控制系统。
　　3. 不间断电源（UPS）：用于逆变器和整流电路中，保障电力中断时的持续供电。
　　4. 照明系统：如LED驱动电源和高压气体放电灯（HID）镇流器。
　　5. 工业自动化设备：如PLC、工业变频器和自动化控制系统中的功率开关模块。
　　6. 新能源系统：如太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块中，作为关键的开关元件。
　　由于其优异的性能和可靠性，ITXH12N45也被广泛用于汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等。

IPW60R036C6, STP12N45, FDPF12N45, FQP12N45