时间：2025/5/15 12:07:36
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ITS1275Q 是一款高性能的 N 治 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为汽车电子应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
其封装形式通常为 PQFN3*3-10L，适合空间受限的应用场景，并且符合 AEC-Q101 标准，确保在严苛环境下的稳定运行。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：90A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总栅极电荷(Qg)：35nC
开关时间：典型值 14ns（开启）/ 18ns（关闭）
工作结温范围：-40°C 至 +175°C
ITS1275Q 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力 (Id)，适用于大电流应用场景。
3. 短开关时间，有助于减少开关损耗并提高开关频率。
4. 符合汽车级标准 (AEC-Q101)，能够在极端温度范围内可靠工作。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 布局空间。
6. 具备优异的热性能和电气性能，支持高效散热管理。
ITS1275Q 广泛应用于汽车电子领域，具体应用包括：
1. 电动车辆的电机驱动电路。
2. 车载充电器和 DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
4. 汽车照明系统的电子控制单元 (ECU)。
5. 各类高电流负载的开关控制，如启动马达、电磁阀等。
6. 工业设备中的功率转换和控制模块。
ITS1270Q, ITS1280Q
