PJ4N3KDW-R1 时间：2025/8/14 23:24:44 阅读：7

PJ4N3KDW-R1 是一款由 Panasonic（松下）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件采用小型表面贴装封装（如 TSMT4 封装），具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点，适合在中高功率电路中使用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：20 V
　　连续漏极电流（ID）：10 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.021 Ω @ VGS = 10 V
　　功率耗散（PD）：2 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSMT4（表面贴装）

特性

PJ4N3KDW-R1 具备多项优良特性，使其在电源管理和功率控制应用中表现出色。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统效率。在 VGS = 10 V 时，RDS(on) 仅为 0.021 Ω，非常适合用于高电流应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
　　其次，该 MOSFET 的最大漏源电压为 30 V，能够承受一定的电压应力，适用于多种中低压功率转换场景。同时，其栅源电压最大可达 20 V，允许使用标准栅极驱动器进行控制，提高了设计的灵活性。
　　此外，该器件采用表面贴装封装（TSMT4），体积小、重量轻，适用于高密度 PCB 设计。封装材料具有良好的热稳定性，有助于提高器件在高功率工作条件下的散热能力。
　　其额定连续漏极电流为 10 A，在合适的散热条件下可以支持较高的负载能力。同时，器件的功率耗散为 2 W，适用于中等功率等级的应用。该 MOSFET 还具备良好的温度稳定性，工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在工业级环境条件下使用。
　　综合来看，PJ4N3KDW-R1 是一款性能稳定、效率高、适用范围广的功率 MOSFET，适合用于多种电源管理及功率控制电路。