时间：2025/7/16 18:49:18
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ISZ065N03L5S是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的增强型功率MOSFET，专为高效能、高频率应用设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：65A
最大漏源电压：30V
导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：18nC
封装形式：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55°C至150°C
ISZ065N03L5S具备多项显著特点，包括超低导通电阻以减少功耗并提高效率，确保在高电流负载下保持稳定运行；
其优化的栅极设计降低了开关损耗，使器件更适合高频应用；
此外，该MOSFET采用紧凑型封装，占用PCB空间小，适合对尺寸要求较高的电子设备使用；
同时，它拥有强大的热稳定性与可靠性，在极端环境条件下也能提供长期稳定的性能。
ISZ065N03L5S广泛应用于各类高性能电力电子系统中，例如笔记本电脑及服务器电源管理系统、同步整流降压/升压变换器、电池供电设备中的高效功率控制模块、汽车电子系统如车载充电器及电动机驱动装置、工业自动化设备中的高频开关电源等。
SiR346DP-T1-GE3, FDS6680AS, IPD065N03L G
