容量：2Mbit
　　组织结构：256K x8/128K x16
　　电源电压：2.3V至3.6V
　　访问时间：55ns、70ns可选
　　封装类型：TSOP、SOJ、PSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　功耗：典型待机电流低于10mA

ISSI02-3G SRAM芯片具有多项显著的技术特性，确保其在多种应用场景下的稳定性和高效性。首先，其高速访问时间为55ns和70ns可选，使其适用于对数据读写速度有较高要求的应用。该芯片支持异步操作，具备独立的片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制信号，便于与多种微处理器和控制器进行接口连接。
　　其次，ISSI02-3G的电源电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应能力，适合多种电源设计环境。其CMOS工艺不仅降低了功耗，还提高了抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
　　此外，该芯片提供多种封装形式，包括TSOP、SOJ和PSOP，满足不同PCB布局和空间限制的需求。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，确保在极端温度条件下仍能正常工作。

ISSI02-3G广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的各类电子系统中。常见的应用包括路由器、交换机等网络通信设备中的数据缓冲；工业控制系统中的实时数据处理和存储；数字视频设备和图像处理系统的帧缓存；以及嵌入式系统和智能卡终端等设备的程序和数据存储。由于其低功耗和高稳定性，ISSI02-3G也适用于对功耗敏感的便携式电子设备。

IS61LV25616-55BLLI-TR、CY62148EVLL、IDT71V124SA、ISSI02-4G