MA0402CG560F100 是一款基于 MOSFET 技术的功率开关器件,主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用 TO-252 封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高温环境下保持稳定的性能表现。
该芯片内部集成了增强型 N 沟道功率 MOSFET,能够承受较高的漏源电压,并支持大电流输出。其优化的栅极驱动设计使得开关损耗进一步降低,非常适合对效率要求较高的应用场合。
型号:MA0402CG560F100
封装:TO-252
漏源电压(VDS):60V
连续漏极电流(ID):4.8A
导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ
栅极阈值电压(VGS(th)):2.2V 至 4V
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
最大功耗:2.3W
存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
1. 高效的功率转换能力,得益于其低 RDS(on) 和优化的开关特性。
2. 支持高频操作,适合开关频率较高的应用场景。
3. 内置 ESD 保护功能,提升了器件在恶劣环境下的可靠性。
4. 具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少驱动损耗。
5. 小巧的 TO-252 封装节省了 PCB 空间,同时具备良好的散热性能。
6. 工作温度范围宽广,适用于工业级及汽车级应用需求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. LED 驱动器中的高效开关元件。
5. 各类负载切换和保护电路中的开关组件。
6. 可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路。
MA0402CG600F100, IRFZ44N, FDP55N06L