产品种类: IGBT 晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-263AB
集电极—发射极最大电压 VCEO: 430 V
集电极—射极击穿电压: 400 V
集电极—射极饱和电压: 1.25 V
栅极/发射极最大电压: 10 V
集电极最大连续电流 Ic: 21 A
栅极—射极漏泄电流: 150 W
功率耗散: 150 W
封装: Reel
配置: Single
最大工作温度: + 175℃
最小工作温度: - 40℃