时间：2025/8/24 18:57:17
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ISL9R3060G2_NL 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的高性能功率MOSFET，专为高频率开关电源应用设计。这款MOSFET采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能。该器件适用于DC-DC转换器、服务器电源、电信电源系统以及电池管理系统等多种应用场景。其封装形式为DFN（Dual Flat No-leads），具有紧凑的尺寸和出色的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）@25°C：30A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：10.5mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：6.8mΩ
栅极电荷（Qg）@10V：38nC
输入电容（Ciss）：1200pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN 5x6
ISL9R3060G2_NL 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在4.5V和10V的栅极驱动电压下分别具有10.5mΩ和6.8mΩ的Rds(on)，适用于低压驱动电路，如同步整流器和负载开关。此外，该MOSFET具有较高的电流处理能力，能够在持续30A的漏极电流下稳定工作，满足高功率密度设计的需求。
其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有快速开关能力，降低了开关损耗，使其适用于高频开关电源应用。其栅极电荷仅为38nC（@10V），有助于减少驱动损耗和开关时间，提高整体电源系统的效率。同时，该器件的输入电容为1200pF，适合用于高频率PWM控制电路。
ISL9R3060G2_NL 还具备良好的热管理和封装设计。其DFN 5x6封装不仅体积小巧，适合高密度PCB布局，还具有出色的散热性能，能够在高负载条件下保持较低的工作温度。这种封装形式也支持双面散热，进一步提升热性能。此外，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于各种工业和通信环境。
ISL9R3060G2_NL 广泛应用于多种高功率密度和高效率的电源系统中。首先，它适用于DC-DC转换器，尤其是在服务器电源、VRM（电压调节模块）和POL（负载点）电源中，其低导通电阻和高电流能力有助于提升转换效率并减少热量产生。其次，在电信电源系统中，该MOSFET可以用于同步整流、负载开关和电池管理系统，提供可靠的高效率功率控制。此外，它还可用于电动工具、无人机和工业自动化设备中的功率管理电路，满足高电流和高频率应用的需求。
SiR340DP-T1-GE3, FDD8880, NexFET CSD87350Q5D
