类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：14.5mΩ @ Vgs=10V, 7.5mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：3-PowerFLAT（3.3mm x 3.3mm）
　　安装类型：表面贴装

ISL9N30AS3ST采用先进的Trench技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。其低Rds(on)特性在低电压大电流应用中尤为重要，可以显著提升系统的整体效率。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持在4.5V至10V之间工作，使其适用于多种驱动电路设计。此外，ISL9N30AS3ST具备优异的热稳定性，其PowerFLAT封装设计有助于提高散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
　　该MOSFET的3-PowerFLAT封装体积小巧，适合用于空间受限的高密度PCB布局。此外，其高电流能力（15A连续漏极电流）和低开关损耗，使其在DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池供电设备中表现出色。
　　ISL9N30AS3ST还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护，增强系统的可靠性。

ISL9N30AS3ST广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于同步整流DC-DC转换器、多相电压调节模块（VRM）、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统、服务器和网络设备的电源模块，以及便携式电子设备的电源管理单元。
　　在同步整流器中，该器件的低Rds(on)和快速开关特性可以显著提升转换效率，减少发热损耗；在电池管理系统中，其高电流能力和良好的导通特性使其成为理想的开关元件；在服务器和通信设备的电源模块中，ISL9N30AS3ST能够提供稳定的功率输出和优良的热管理性能。
　　此外，该MOSFET也常用于电机驱动、LED照明驱动和各种电源管理IC（PMIC）配套电路中，满足不同应用场景下的性能需求。

SiSS218DN, TPS62087, FDMC6680, AO4496