时间：2025/5/13 18:54:51
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ISC080N10NM6 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型化的封装设计，适用于高效率、高密度的开关电源和电机驱动等应用。该器件具有低导通电阻和快速开关性能，能够在高频条件下提供优异的功率转换效率。
ISC080N10NM6 主要面向消费类电子、工业设备以及通信领域中的负载切换、DC-DC 转换和同步整流等场景。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：29nC
输入电容：1540pF
工作结温范围：-55℃ to +150℃
ISC080N10NM6 的主要特点包括低导通电阻以减少传导损耗，优化的栅极电荷设计可降低开关损耗。此外，该器件具有快速的开关速度，能够有效提高系统的工作频率并减小磁性元件的体积。其坚固的设计支持较高的雪崩能力和 ESD 性能，从而增强了可靠性。
该 MOSFET 还具备较低的热阻和良好的散热性能，有助于提升在高温环境下的稳定性。同时，其紧凑的封装形式使得 PCB 布局更加灵活，适合空间受限的应用场景。
ISC080N10NM6 广泛应用于各种需要高效功率转换的场合，例如 AC-DC 开关电源、DC-DC 转换器、适配器、充电器、电机驱动电路和电池管理系统 (BMS) 等。
它也适用于电信设备中的负载切换和保护电路，以及工业自动化设备中的电源模块和逆变器。凭借其高性能和可靠性，ISC080N10NM6 成为许多现代电子产品设计的理想选择。
IRF840,
STP80NF10,
INFINEON IPW80N10N3G
