时间：2025/12/24 0:16:01
阅读：18
ISC036N04NM5是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为低电压、高效率应用设计。该器件采用了先进的制程工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种消费电子、工业控制及通信设备中的功率转换和负载切换场景。
ISC036N04NM5的额定耐压为40V，可承受较大的漏极电流，同时具备优异的热性能和可靠性，适合在紧凑型设计中使用。其小型封装有助于节省PCB空间，同时提供高效的电气性能。
最大漏源极电压：40V
最大连续漏极电流：3.8A
导通电阻（典型值）：3.8mΩ
栅极电荷（典型值）：7nC
开关时间：ton=12ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23
1. 低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适合开关电源和DC-DC转换器。
3. 小型化封装，便于在空间受限的应用中使用。
4. 高度可靠的制造工艺，确保产品在恶劣环境下的稳定性。
5. 较低的栅极驱动要求，易于与微控制器或驱动IC配合使用。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 负载开关，用于便携式设备中的电源管理。
4. 电池保护电路，防止过流和短路损坏。
5. 消费类电子产品中的电机驱动和信号切换。
6. 工业自动化设备中的低侧开关功能。
AO3400, SI2302DS, FDMQ8207
