时间：2025/5/19 10:09:23
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ISC028N04NM5 是一款基于硅材料的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关应用和电源管理领域。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关性能之间实现了良好的平衡，从而提高了系统效率并降低了功率损耗。
ISC028N04NM5 的额定电压为 40V，适合在中低压环境下工作。其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装类型（例如 SOT-23 或 DPAK），这使得它非常适合空间受限的设计场景。
额定电压：40V
最大漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：6mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：20nC（典型值）
总功耗：1.7W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ISC028N04NM5 提供了非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，该器件具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗，特别适合于 DC-DC 转换器、同步整流以及负载开关等应用场景。
另外，其坚固的设计使其能够在极端温度条件下稳定运行，同时具备良好的抗浪涌能力和 ESD 保护功能，增强了产品的可靠性。
该器件还支持高频率操作，因此可以减小无源元件的尺寸，进一步优化 PCB 布局和成本。
ISC028N04NM5 广泛应用于消费类电子、通信设备及工业控制领域。具体包括但不限于以下方面：
- 开关模式电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 同步整流电路
- 负载开关
- 电机驱动
- 电池管理系统 (BMS)
由于其高效的性能和紧凑的封装形式，该 MOSFET 特别适合便携式设备和其他需要高效能与小型化设计的应用场合。
IRLZ44N
AO3400
FDMQ8203
