时间：2025/8/2 9:55:16
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ISC026N03L5S是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET，设计用于高效能、低电压应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供卓越的导通性能和热稳定性。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：10V
连续漏极电流（ID）：26A
导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（典型值）
封装类型：PG-TDSON-8（SuperSO8）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
ISC026N03L5S具有多项显著特性，包括极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，优化了电流分布并增强了热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，其紧凑的SuperSO8封装设计节省了PCB空间，并支持高密度布局，适合对空间要求严格的应用场景。
该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，确保在极端工作条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽泛，适用于多种控制电路设计。此外，ISC026N03L5S的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
ISC026N03L5S主要应用于高效DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备。在服务器电源、笔记本电脑电源管理模块和车载电子系统中也有广泛应用。由于其优异的导通性能和热稳定性，它特别适合于需要高效率和高可靠性的电力电子设备。
IPD026N03L5, BSC026N03LS
