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IS66WVO32M8DBLL-166BLI 发布时间 时间:2025/12/28 18:31:56 查看 阅读:23

IS66WVO32M8DBLL-166BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能异步SRAM(静态随机存取存储器)。该芯片属于低功耗、高速CMOS SRAM器件,广泛应用于需要高速数据访问和低延迟的嵌入式系统和工业控制设备。该型号为8Mbit(32Mbit x8)配置,采用FBGA封装,适用于对空间和功耗有严格要求的高端系统设计。

参数

容量:32Mbit
  组织方式:x8
  电压范围:2.3V至3.6V
  访问时间:166MHz
  封装类型:FBGA
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:5.5mm x 5.5mm
  最大工作频率:166MHz

特性

IS66WVO32M8DBLL-166BLI采用了高性能的CMOS技术,确保了低功耗与高速操作的完美结合。该芯片支持异步操作,无需时钟信号同步,使得数据访问更为灵活,适用于多种系统架构。其低电压设计(2.3V至3.6V)允许其在不同电源条件下稳定运行,同时有助于降低系统整体功耗。
  此外,该SRAM具有高可靠性,适合在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内运行,确保在极端环境下的稳定性和数据完整性。其54引脚FBGA封装设计不仅节省了PCB空间,还提高了抗干扰能力,适合高密度布局的嵌入式系统。
  该芯片还具备优异的电气特性,包括快速的访问时间(最高166MHz)、低待机电流和可配置的输出使能控制,使其能够适应不同的应用需求。例如,在便携式设备中,低功耗模式可有效延长电池寿命;而在高性能数据采集系统中,高速访问能力则可显著提升系统响应速度。

应用

IS66WVO32M8DBLL-166BLI主要应用于需要高速缓存、临时数据存储或高速缓冲的场合。典型应用包括网络通信设备、工业控制系统、医疗仪器、汽车电子、消费类电子产品中的主控单元缓存等。其高性能和低功耗特性也使其成为无线基站、路由器、交换机等通信设备中用于存储临时数据或执行快速数据交换的理想选择。
  在嵌入式系统中,IS66WVO32M8DBLL-166BLI可作为微处理器或FPGA的外部高速缓存,提升系统运行效率。此外,它还可用于图像处理设备、视频采集模块等需要快速数据缓冲的场合。

替代型号

IS66WV16M16DBLL-166BLI, IS66WV16M16DBLL-166BLL

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IS66WVO32M8DBLL-166BLI参数

  • 现有数量68现货
  • 价格1 : ¥55.25000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量256Mb
  • 存储器组织32M x 8
  • 存储器接口SPI - 八 I/O
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页36ns
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)