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SDM20U40 发布时间 时间:2025/6/6 20:08:54 查看 阅读:5

SDM20U40是一种高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛应用于各种功率转换和负载开关场景。SDM20U40采用了先进的制造工艺,能够在高频应用中提供高效且可靠的性能。
  这种MOSFET的主要特点是其额定电压为40V,并具有极低的导通电阻,从而减少了功率损耗并提高了整体效率。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(Rds(on)):5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极电荷:23nC(典型值)
  输入电容:970pF(典型值)
  总功耗:18W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SDM20U40具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低传导损耗。
  2. 高开关速度,适合高频应用环境。
  3. 强大的雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 小型封装选项,有助于节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,环保设计。
  6. 支持宽范围的工作温度,适应多种恶劣环境。

应用

SDM20U40适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动和逆变器应用。
  5. 各类保护电路,如过流保护和短路保护。
  6. 汽车电子中的电源管理模块。
  由于其优异的性能,SDM20U40成为许多功率密集型应用的理想选择。

替代型号

DMN2040USNQ,
  FDMQ8204,
  IRLZ44N

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