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IS66WVH16M8DALL-166B1LI 发布时间 时间:2025/9/1 8:38:57 查看 阅读:17

IS66WVH16M8DALL-166B1LI 是由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特点。IS66WVH16M8DALL-166B1LI属于异步SRAM类型,其数据访问速度非常快,适用于对响应时间要求较高的应用环境。该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具有较小的封装体积,适合用于嵌入式系统、网络设备、通信设备以及工业控制设备等高性能应用领域。

参数

容量:16Mbit(2MB)
  组织方式:16M x 8(8位数据总线)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:166MHz(对应访问时间约5.4ns)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级温度范围)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  封装尺寸:54引脚TSOP
  接口类型:异步(Asynchronous)
  最大工作频率:166MHz
  输入/输出电平:兼容3.3V和5V系统
  功耗:典型待机电流低于10mA,工作电流根据使用频率变化

特性

IS66WVH16M8DALL-166B1LI 是一款高性能异步SRAM芯片,其核心优势在于高速访问能力和低功耗设计。该芯片的访问时间仅为5.4ns,这意味着其能够在166MHz的频率下稳定运行,为系统提供快速的数据读写能力。这种高速特性使其非常适合用于需要快速响应和大量数据处理的应用场景,如路由器缓存、图像处理缓存、实时控制系统的数据暂存等。
  该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,支持多种电压环境下的稳定运行,同时具备良好的电压适应性。这使得IS66WVH16M8DALL-166B1LI能够在不同的系统设计中灵活应用,而不必担心电压不匹配的问题。此外,芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够在高温或低温环境下保持稳定工作,适用于各种严苛的工业环境和户外设备。
  封装方面,该芯片采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于在空间受限的PCB设计中使用。TSOP封装也具有良好的散热性能和电气性能,有助于提高系统的稳定性和可靠性。芯片的输入/输出电平兼容3.3V和5V系统,能够方便地与不同电压等级的外围电路进行连接,减少了电平转换器的使用需求,降低了系统设计的复杂性。
  在功耗管理方面,IS66WVH16M8DALL-166B1LI具备低待机电流特性,典型值低于10mA,有助于延长设备的电池寿命,在便携式设备和低功耗应用场景中具有显著优势。此外,芯片在高速运行时的功耗也控制得相当出色,能够在高性能与低功耗之间取得良好的平衡。

应用

IS66WVH16M8DALL-166B1LI广泛应用于对数据处理速度和系统稳定性要求较高的电子设备中。其主要应用场景包括但不限于:
  1. 网络通信设备:如路由器、交换机等,用于缓存数据包和临时存储路由表信息,提高数据传输效率;
  2. 工业控制系统:如PLC(可编程逻辑控制器)、自动化设备,用于临时存储控制指令和传感器数据;
  3. 嵌入式系统:如智能卡终端、POS机、安防设备等,用于高速缓存程序代码和运行数据;
  4. 通信模块:如无线基站、光模块等,用于临时存储通信数据,提高系统响应速度;
  5. 测试与测量设备:如示波器、信号发生器等,用于高速数据采集和实时分析;
  6. 医疗设备:如超声成像、监护仪等,用于高速图像数据的缓存和处理。

替代型号

IS66WVH16M8ALL-166B1LI, IS66WVH16M8BLL-166B1LI, CY62167VLL-166BZI, IDT71V128SA166BQI

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IS66WVH16M8DALL-166B1LI参数

  • 现有数量6,800现货
  • 价格1 : ¥40.07000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页36ns
  • 访问时间36 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)