时间：2025/9/13 16:28:39
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IS66WVE4M16EBLL-55BLI 是 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）推出的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用高性能CMOS技术制造，具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点，适用于需要快速数据存取的应用场景。
类型：异步SRAM
容量：4Mbit（256K x 16）
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间：55ns
封装：54引脚TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据总线宽度：16位
封装类型：TSOP-II
封装尺寸：54-TSOP
工作温度：-40°C至+85°C
IS66WVE4M16EBLL-55BLI 提供高速访问能力，其访问时间为55ns，适合对响应时间要求较高的应用。该芯片采用低功耗CMOS工艺，不仅在高速运行时保持较低的功耗，还在待机模式下进一步减少能耗。工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种严苛环境下的系统。54引脚TSOP封装设计有助于节省PCB空间并提高散热性能。
此外，该SRAM芯片具备宽电压工作范围（2.3V至3.6V），允许在不同电源条件下稳定运行。16位的数据总线宽度使其适用于需要大容量数据处理的系统，如网络设备、通信设备、工业控制和高端消费类电子产品。其异步接口设计简化了与多种微处理器和控制器的连接，提高了系统的兼容性和灵活性。
IS66WVE4M16EBLL-55BLI 主要应用于需要高速数据缓存和临时存储的场景，如网络路由器和交换机中的数据缓冲、通信设备中的协议处理缓存、工业控制系统的实时数据处理、嵌入式系统的高速缓存存储、高端消费类电子产品（如智能电视、游戏设备）以及测试和测量设备中的临时数据存储。
CY62148EVLL-55BZC、AS7C34098A-55BSC、IS66WV200BLL-55BLI、IS66WVE2M16EBLL-55BLI
