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IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 13:59:27 查看 阅读:5

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的CMOS异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片具有4Mbit的存储容量,组织形式为16位宽度,即256K x 16。该型号适用于需要高速数据存取和高可靠性的应用场合。封装形式为TSOP,适用于工业级温度范围,确保其在各种环境条件下稳定运行。

参数

容量:4Mbit
  组织结构:256K x 16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  封装引脚数:54
  接口类型:并行
  最大工作频率:100MHz
  数据保持电压:2.0V
  待机电流:最大10mA(典型值)

特性

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 是一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器,适用于需要快速访问和高稳定性的应用。其访问时间仅为10ns,能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,便于与多种电源系统兼容,并能在不同电压条件下保持稳定的性能。此外,其低待机电流设计有助于降低整体功耗,适用于对功耗敏感的系统设计。
  该芯片采用CMOS工艺制造,具有较高的抗干扰能力和稳定性,能够在恶劣的工业环境中正常工作。TSOP封装形式不仅减小了PCB布局空间,而且有助于提高高频性能和散热能力。该芯片符合RoHS环保标准,适合现代电子产品对环保材料的要求。
  IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 支持异步操作,无需时钟同步即可进行数据读写操作,使得系统设计更加灵活。其高速访问能力和宽电压范围使其广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等高性能存储需求领域。

应用

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 广泛应用于需要高速数据存储和处理的系统中。常见的应用包括通信设备中的缓存存储器、工业控制系统中的高速数据缓冲、网络设备的路由表存储、嵌入式系统的程序存储器等。此外,该芯片也适用于测试设备、医疗仪器、自动化设备和视频处理系统等需要高可靠性和快速响应的场合。

替代型号

IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR的替代型号包括IS66WVH4M16EBLL-70BHI-TR(高速、宽电压范围)、CY62148EAV25(高速SRAM)、IDT71V416SA(异步SRAM)、以及Alliance Memory的AS7C34098A-10TC。这些替代型号在容量、速度、封装和电压兼容性方面与IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR相近,适用于多种替代设计需求。

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IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥34.13027卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式PSRAM
  • 技术PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织4M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳54-VFBGA
  • 供应商器件封装54-VFBGA(6x8)