时间：2025/7/23 5:39:52
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W12NK80Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高耐压功率MOSFET晶体管，采用先进的超结（SJ）技术，具备高效能和低导通损耗的特点。该器件广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器以及各种高效率功率转换系统。
类型：功率MOSFET
晶体管类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：800V
最大漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω
最大功率耗散（Ptot）：60W
封装类型：TO-220FP
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
栅极电荷（Qg）：35nC
漏源击穿电压（BVDSS）：800V
阈值电压（Vgs(th)）：3V ~ 5V
W12NK80Z 功率MOSFET采用了意法半导体独有的超结（Super Junction）技术，这使其在高压应用中具备极低的导通电阻和快速的开关性能。相比传统MOSFET，W12NK80Z在800V高压下能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体能效。其导通电阻仅为0.55Ω，确保在大电流工作时保持较低的温升，提高系统的稳定性和可靠性。
此外，该器件具备优异的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过电压冲击，从而增强电路在异常工况下的鲁棒性。W12NK80Z 的封装形式为 TO-220FP，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围较宽，可在10V至15V之间正常工作，适应多种驱动电路的设计需求。
W12NK80Z 主要应用于各类高效率功率转换设备，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、光伏逆变器、LED照明驱动器、家电电源模块以及工业自动化设备中的电源部分。该器件的高耐压和低损耗特性使其成为高性能电源解决方案的理想选择。
STW12NK80Z, FQA16N80C, SPW12N80C
