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IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 16:21:11 查看 阅读:11

IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步SRAM(静态随机存取存储器)芯片。该芯片具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要快速数据访问和稳定存储的场合。其封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),便于在各种电子设备中集成。

参数

容量:4Mbit
  组织方式:16位 x 256K
  电压范围:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  最大功耗:120mA(工作模式)
  待机电流:10mA

特性

IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 是一款高性能异步SRAM芯片,具有多项优异的性能特点。首先,它的访问时间为10ns,能够满足高速数据存取的需求,适合用于缓存、缓冲存储器等对速度要求较高的应用场景。其次,该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,具备较宽的电压适应范围,适用于多种供电条件下的系统设计。此外,IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 采用了先进的CMOS制造工艺,使其在高速工作的同时仍能保持较低的功耗,最大工作电流为120mA,待机模式下电流仅为10mA,非常适合对功耗敏感的便携式设备和工业控制系统。
  该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够在恶劣的环境条件下稳定运行。封装形式为54引脚TSOP,体积小巧,便于PCB布局和焊接,提高了系统的可靠性和集成度。此外,该SRAM芯片支持异步操作,允许灵活的时序控制,适用于多种存储器接口设计,例如微控制器、网络设备、通信模块等应用场景。

应用

IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 由于其高性能和低功耗的特性,被广泛应用于多个领域。常见的应用包括:嵌入式系统中的缓存存储器、工业控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、测试测量仪器以及消费类电子产品。在微控制器系统中,该芯片可用作高速数据缓存,提升系统运行效率;在工业自动化设备中,它能够作为临时数据存储单元,保障数据的快速读写与稳定性;在网络设备中,该SRAM芯片可用于存储转发数据包,提升数据传输效率。此外,由于其宽温工作范围,也适用于户外设备和恶劣环境下的电子系统。

替代型号

IS66WV512K16BLL-7010BLI-TR, CY62167VLL-7010BZI-SX, IDT71V416SA10YI

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IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 存储容量64 Mbit
  • 组织4 Mbit x 16
  • 访问时间70 ns
  • Supply Voltage - Max1.95 V
  • Supply Voltage - Min1.7 V
  • 最大工作电流25 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体BGA-54
  • 封装Reel
  • 存储类型Psuedo
  • 工厂包装数量2500