时间：2025/9/1 16:21:11
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IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能异步SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片具有高速访问时间和低功耗的特点，适用于需要快速数据访问和稳定存储的场合。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），便于在各种电子设备中集成。
容量：4Mbit
组织方式：16位 x 256K
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：54
最大功耗：120mA（工作模式）
待机电流：10mA
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 是一款高性能异步SRAM芯片，具有多项优异的性能特点。首先，它的访问时间为10ns，能够满足高速数据存取的需求，适合用于缓存、缓冲存储器等对速度要求较高的应用场景。其次，该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，具备较宽的电压适应范围，适用于多种供电条件下的系统设计。此外，IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 采用了先进的CMOS制造工艺，使其在高速工作的同时仍能保持较低的功耗，最大工作电流为120mA，待机模式下电流仅为10mA，非常适合对功耗敏感的便携式设备和工业控制系统。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。封装形式为54引脚TSOP，体积小巧，便于PCB布局和焊接，提高了系统的可靠性和集成度。此外，该SRAM芯片支持异步操作，允许灵活的时序控制，适用于多种存储器接口设计，例如微控制器、网络设备、通信模块等应用场景。
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR 由于其高性能和低功耗的特性，被广泛应用于多个领域。常见的应用包括：嵌入式系统中的缓存存储器、工业控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、测试测量仪器以及消费类电子产品。在微控制器系统中，该芯片可用作高速数据缓存，提升系统运行效率；在工业自动化设备中，它能够作为临时数据存储单元，保障数据的快速读写与稳定性；在网络设备中，该SRAM芯片可用于存储转发数据包，提升数据传输效率。此外，由于其宽温工作范围，也适用于户外设备和恶劣环境下的电子系统。
IS66WV512K16BLL-7010BLI-TR, CY62167VLL-7010BZI-SX, IDT71V416SA10YI
