时间：2025/9/1 8:55:47
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IS66WV51216DBLL-55BLI是一款高速异步CMOS静态随机存取存储器（SRAM），由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问时间、低功耗和高可靠性等特点。该SRAM具有512K x 16的存储容量，适用于需要高性能和低功耗的工业、通信和网络设备。
容量：512K x 16位
电压：3.3V
访问时间：55ns
封装：54引脚 TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
工作模式：异步
数据宽度：16位
封装类型：TSOP
引脚数：54
封装尺寸：8mm x 14mm
IS66WV51216DBLL-55BLI 是一款高性能异步SRAM，采用了先进的CMOS工艺技术，提供了高速访问时间和低功耗特性。其访问时间为55ns，能够满足高速数据处理应用的需求。该器件的工作电压为3.3V，具有宽温工作范围（-40°C至+85°C），适合在工业环境和严苛条件下使用。芯片封装为54引脚TSOP，便于在各种PCB设计中集成。该SRAM没有时钟信号控制，采用异步接口，适合需要灵活控制读写操作的应用场景，如网络设备、通信系统和工业控制设备。
此外，IS66WV51216DBLL-55BLI具备高可靠性和稳定性，内置的数据保持电路能够在低电压情况下保持数据完整性，防止数据丢失。该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色环保的电子产品设计。
IS66WV51216DBLL-55BLI广泛应用于需要高性能和低功耗的电子系统中。其主要应用领域包括工业控制系统、通信设备、网络路由器和交换机、测试与测量仪器、医疗设备以及嵌入式系统。由于其高速存取能力和宽温工作范围，该SRAM特别适合在对实时性要求较高的工业自动化和通信基础设施中使用。此外，它也可作为高速缓存或数据缓冲器，在嵌入式处理器系统中提供快速的数据访问能力。
IS66WV51216DBLL-55BLL, CY62167EV30LL-55B, IDT71V416S161BLL-6B
