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IS65WV12816BLL-55BLA3 发布时间 时间:2025/9/1 10:27:45 查看 阅读:10

IS65WV12816BLL-55BLA3是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用CMOS技术制造,具有高速度、低功耗和高可靠性等特点,广泛应用于网络设备、工业控制、通信系统和消费电子产品中。该SRAM的存储容量为128K x 16位,提供16位数据总线,适合需要快速数据访问和高密度存储的系统。

参数

容量:128K x 16位
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大工作频率:约18MHz(根据访问时间计算)
  数据保持电压:最低1.5V
  待机电流:最大10mA
  读取电流(典型):120mA

特性

IS65WV12816BLL-55BLA3是一款高性能异步SRAM,具有55ns的访问时间,适合需要快速响应的应用。其CMOS结构确保了低功耗运行,即使在高速操作下也能保持较低的功耗水平。该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了其在不同系统环境中的兼容性。此外,该SRAM具备数据保持功能,当供电电压降至1.5V时仍能保持存储数据不丢失,适用于需要在低功耗模式下保持数据完整性的应用。
  该器件采用54引脚TSOP封装,适合高密度PCB布局,并具备良好的散热性能。其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在恶劣环境中稳定运行。IS65WV12816BLL-55BLA3的高可靠性和稳定性使其成为许多嵌入式系统和实时控制系统的理想选择。

应用

IS65WV12816BLL-55BLA3 SRAM适用于多种高性能嵌入式系统和数据处理应用。典型应用包括路由器和交换机中的数据缓存、工业自动化控制系统的临时数据存储、通信设备的数据缓冲、高端打印机和扫描仪的图像存储,以及需要快速存取和高可靠性的消费类电子产品。由于其宽温范围和低功耗特性,它也常用于需要稳定运行于极端环境的工业和通信设备。

替代型号

IS65WV12816ALL-55BLI、CY62148EVLL-45ZE、AS7C31026A-10TC、IDT71V416SA55B

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IS65WV12816BLL-55BLA3参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量2 Mbit
  • 组织128 Kbit x 16
  • 访问时间55 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.5 V
  • 最大工作电流30 mA
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体BGA-48
  • 封装Tray
  • 存储类型CMOS
  • 工厂包装数量480