时间：2025/9/1 9:54:15
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IS64WV51216EDBLL-10CTLA3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片拥有512K x 16位的存储容量，采用并行接口，适用于需要快速数据访问和低延迟的应用场景。其高速存取时间（tRC）为10纳秒，适合工业级温度范围，常用于通信设备、网络设备、工业控制、嵌入式系统等领域。
容量：512K x 16位
电压：3.3V
访问时间：10ns
封装类型：54引脚 TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：异步并行
数据宽度：16位
输入/输出电平：CMOS兼容
工作电流：最大180mA（典型值）
待机电流：最大10mA（典型值）
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3 是一款高性能的异步SRAM，具备快速访问时间和低功耗特性。
该芯片采用CMOS技术制造，具有出色的稳定性和抗干扰能力。其10ns的访问时间确保了数据的高速读写操作，适用于对实时性要求较高的系统设计。
工作电压为3.3V，降低了功耗，同时保持与标准CMOS逻辑电平的兼容性，简化了与外围电路的连接。
封装形式为54引脚TSOP，体积小巧，适合高密度PCB布局。
在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）仍能保持稳定运行，适用于严苛环境下的应用。
此外，该芯片具备低待机电流特性，有助于延长电池供电设备的续航时间。
其高可靠性和稳定性使其广泛应用于路由器、交换机、嵌入式控制器、工业计算机等设备中。
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3 广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统和工业设备中。典型应用包括网络设备中的数据缓冲、工业控制系统的实时数据处理、通信模块的协议处理缓存、测试仪器的数据暂存等。此外，该芯片也可用于医疗设备、智能安防系统、自动化生产线等对数据处理速度和稳定性有较高要求的场合。
CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416SA10PFG, IS64WV51216EBLL-10BLLA3
