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IS64C25616AS-25TLA3 发布时间 时间:2025/12/28 18:51:08 查看 阅读:44

IS64C25616AS-25TLA3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件的存储容量为256K x 16位,工作电压为3.3V,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有较高的可靠性和稳定性,广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统中。

参数

容量:256K x 16位
  电压:3.3V
  访问时间:25ns
  封装:54引脚TSOP
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行接口
  功耗:典型工作电流约200mA
  封装尺寸:约18.4mm x 12.0mm
  数据宽度:16位
  时钟频率:异步操作,无时钟输入

特性

IS64C25616AS-25TLA3 是一款高性能异步SRAM,具有25ns的访问时间,适合需要快速数据读写的应用。该芯片采用3.3V电源供电,支持低功耗待机模式,在未被访问时可显著降低功耗。其54引脚TSOP封装结构紧凑,适用于空间受限的PCB布局设计。芯片内部采用CMOS技术,具备良好的抗干扰能力和稳定性。此外,IS64C25616AS-25TLA3 支持全地址和数据总线操作,具有较强的通用性和兼容性。工业级工作温度范围确保其在恶劣环境下也能稳定运行。
  在电气特性方面,该SRAM芯片支持高速数据传输,最大读取电流为200mA左右,待机电流低于10mA,有助于延长电池供电设备的续航时间。其输入/输出引脚兼容TTL电平,便于与多种控制器和处理器连接。芯片还具备自动数据保持功能,在低功耗模式下可保持数据不丢失。这些特性使得IS64C25616AS-25TLA3在工业自动化、嵌入式系统、通信设备等领域具有广泛的应用前景。

应用

IS64C25616AS-25TLA3 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的场景,例如嵌入式系统的主存、网络设备的数据缓冲区、工业控制器的运行内存、通信模块的临时存储器、测试设备的高速数据存储等。此外,该芯片也适用于需要快速响应和低功耗运行的便携式设备和物联网设备。

替代型号

IS64C25616AL-25TLA3, CY62148EVLL-25ZSXI, IDT71V416S25PFGI, AS7C256R16A-25BCI

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