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IS63LV1024-12T 发布时间 时间:2025/7/22 6:51:03 查看 阅读:5

IS63LV1024-12T是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),其容量为1Mbit(128K x 8)。该SRAM芯片采用高速CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要快速数据存储和读取的应用场景。

参数

容量:1Mbit(128K x 8)
  电压:3.3V
  访问时间:12ns
  封装:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行异步接口
  数据宽度:8位
  功耗:典型工作电流约180mA

特性

IS63LV1024-12T SRAM芯片的一个显著特点是其高速访问时间,仅为12ns,这使其非常适合对时间要求严格的应用。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗,静态电流非常小,有助于降低系统整体功耗。该SRAM支持异步操作,不需要时钟信号,数据读取和写入由控制信号(如CE#、OE#和WE#)直接管理。芯片的TSOP封装形式使其适用于高密度PCB布局,并具有良好的散热性能。此外,IS63LV1024-12T支持工业级温度范围,可在-40°C至+85°C之间稳定运行,适用于各种恶劣环境下的工业设备。
  该芯片的存储单元采用六晶体管架构,提供可靠的数据存储能力。其并行数据接口支持8位数据总线宽度,适用于需要大量快速存储的应用,如嵌入式系统、网络设备、通信设备和图像处理设备等。IS63LV1024-12T还具有高抗噪能力和宽电源电压容差,确保在不同电源条件下仍能正常工作。

应用

IS63LV1024-12T广泛应用于嵌入式系统中的高速缓存存储器,例如路由器、交换机、IP摄像头和工业控制设备。它也适用于需要高速数据缓冲的通信设备,如无线基站和数据采集模块。此外,该SRAM芯片可作为微控制器或数字信号处理器的外部存储器,用于实时数据处理和高速缓存需求。在医疗设备、测试仪器和自动化设备中,IS63LV1024-12T也被用于提供快速可靠的数据存储解决方案。

替代型号

IS63LV1024-10T, CY62148EVLL-45ZE, IDT71V416SA12PFG

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