MBM30LV0064PFTN是一款由富士通(Fujitsu)制造的低电压、高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM),具有64Kbit的存储容量。该芯片采用先进的CMOS技术,提供高速访问时间和低功耗特性,适用于需要可靠数据存储和快速响应的应用场景。MBM30LV0064PFTN采用小型封装设计,适合嵌入式系统和便携式电子设备的使用。
类型:SRAM
容量:64Kbit(8K x 8)
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:55ns(最大)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数:54
数据总线宽度:8位
封装尺寸:标准TSOP尺寸
封装材料:塑料
封装环境:符合RoHS标准
MBM30LV0064PFTN是一款专为低功耗和高性能设计的SRAM芯片。其高速访问时间(最大55ns)确保了在需要快速数据读写的应用中能够提供出色的性能。芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,使其适用于多种低电压系统设计。此外,MBM30LV0064PFTN在宽温度范围内(-40°C至+85°C)均能稳定运行,适用于工业级环境。TSOP封装设计不仅节省空间,还提高了散热效率,适合用于高密度电路板设计。CMOS技术的应用使得该芯片在保持高速运行的同时,还能显著降低待机功耗,是便携式设备和嵌入式系统的理想选择。
MBM30LV0064PFTN具备自动省电模式,在没有访问操作时自动进入低功耗状态,从而进一步延长电池寿命。此外,该芯片还具有优异的抗干扰能力,确保在复杂的电磁环境中仍能保持数据的完整性。其高可靠性和耐用性使其成为通信设备、工业控制系统、消费类电子产品以及汽车电子应用中的常用选择。
该芯片广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的电子设备中,例如:
? 便携式通信设备
? 工业控制与自动化系统
? 嵌入式系统
? 消费类电子产品(如手持设备、数码相机)
? 汽车电子系统(如车载导航和信息娱乐系统)
? 数据采集与存储设备
ISSI: IS62LV256AL
Cypress: CY62148
Microchip: 23K256
STMicroelectronics: M48T02B