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IS62WV51216ALL-70BLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:46:20 查看 阅读:6

IS62WV51216ALL-70BLI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM),具有512K x 16位的存储容量。该芯片采用异步设计,适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用环境。IS62WV51216ALL-70BLI 是一款低功耗CMOS SRAM,广泛用于通信设备、工业控制系统、网络设备和消费类电子产品中。

参数

容量:512K x 16位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:70ns
  封装类型:54引脚 TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  输入/输出电压兼容性:3.3V 和 5V 容限
  最大工作电流:约180mA(典型值)
  封装尺寸:约18.4mm x 13.0mm
  封装引脚间距:0.8mm

特性

IS62WV51216ALL-70BLI 是一款高性能异步SRAM,其主要特点包括高速访问时间(70ns)和低功耗设计,适用于多种嵌入式系统和实时应用。该芯片的异步接口允许其与多种微控制器和处理器无缝连接,无需额外的时序控制电路。其CMOS工艺不仅降低了功耗,还提高了抗噪能力和稳定性。
  此外,该SRAM支持全地址和数据总线宽度,提供16位并行数据传输能力,适用于需要大量数据处理的应用。芯片内置的自动片选(CE)和输出使能(OE)功能简化了系统设计,并增强了整体性能。
  IS62WV51216ALL-70BLI 还具备宽电压工作范围(2.3V至3.6V),使其能够在不同电源环境下稳定运行,适用于电池供电设备和多种工业应用。其TSOP封装形式减小了PCB占用空间,并提高了机械稳定性,适合高密度电路设计。
  该器件还具有高可靠性,经过严格的工业级测试,在-40°C至+85°C的工作温度范围内保持稳定性能,适用于极端环境下的应用,如工业控制、车载系统和户外通信设备。

应用

IS62WV51216ALL-70BLI SRAM 主要应用于需要高速、低功耗和高稳定性的系统中。例如,在嵌入式系统中,该芯片可用作缓存或临时数据存储器,以提高系统响应速度。在工业控制领域,IS62WV51216ALL-70BLI 可用于PLC(可编程逻辑控制器)和数据采集系统,确保数据的实时性和可靠性。
  此外,该芯片也广泛用于通信设备,如路由器、交换机和无线基站,作为临时存储数据包的缓存。在消费类电子产品中,IS62WV51216ALL-70BLI 可用于高端音频/视频设备和游戏机,提供快速的数据存取能力。
  在汽车电子系统中,例如车载导航、ADAS(高级驾驶辅助系统)和信息娱乐系统,该SRAM也可作为高速缓存使用,满足系统对实时响应的需求。

替代型号

IS62WV51216BLL-70BLI
  IS62LV25616AL-70BLLI
  CY62148EVLL-70BZS
  AS7C351365C-70BCTR

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IS62WV51216ALL-70BLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量8 Mbit
  • 访问时间70 ns
  • Supply Voltage - Max2.2 V
  • Supply Voltage - Min1.65 V
  • 最大工作电流4 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体Mini-BGA
  • 封装Tray
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量312
  • 类型Asynchronous