时间：2025/8/24 19:35:51
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150N04 是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流和高功率应用，例如电源管理、DC-DC转换器、马达控制和负载开关。该器件设计为具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，以确保在高效率和低功耗的系统中稳定运行。150N04 的命名中，“150”表示其最大连续漏极电流为150A，“04”则表示其漏源击穿电压（Vds）为40V。这使其适用于需要大电流承载能力和高可靠性的场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A
导通电阻（Rds(on)）：≤3.7mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功率耗散（Pd）：250W
150N04 具备多项关键特性，使其在功率电子设计中备受青睐。首先，它的导通电阻非常低（Rds(on)），在Vgs=10V时典型值为3.7mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高系统效率并减少热量生成。其次，该器件的漏源电压额定值为40V，允许其在中等高压应用中安全运行。此外，最大连续漏极电流高达150A，使得150N04能够承受较大的负载电流，非常适合用于大功率开关电路。
该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合自动化装配工艺。此外，150N04 的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V驱动电压，同时也可与逻辑电平驱动兼容（需注意具体型号）。其高耐用性和抗冲击能力使其在汽车电子、工业控制和电源转换系统中表现优异。最后，150N04 的工作温度范围为-55°C至+175°C，适应严苛环境条件。
150N04 主要应用于高电流和高功率电子系统中。常见用途包括DC-DC降压和升压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备、电机驱动器以及电源开关电路。由于其高电流承载能力和低导通电阻，150N04 在电源转换系统中能够有效降低损耗，提高整体效率。此外，它也广泛用于汽车电子领域，如车载充电系统、电动助力转向系统和LED照明驱动电路。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和储能系统，150N04 也被用于功率开关控制。
IRF150N04D、SiR150N04、IPW90R04S IGBT、Si4410DY、NTMFS4C150N
