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IS62WV25616EBLL-45BLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:16:13 查看 阅读:8

IS62WV25616EBLL-45BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),其容量为256K x 16位。这款SRAM芯片设计用于需要高速数据访问和可靠性能的应用场景,广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备、嵌入式系统等领域。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗特性,适用于对功耗敏感的设计。

参数

类型:异步SRAM
  容量:256K x 16位(总计4Mbit)
  电压范围:2.3V至3.6V
  访问时间:45ns
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
  接口类型:并行
  数据总线宽度:16位
  功耗:典型工作电流约180mA(待机电流<10mA)
  读写操作:支持异步读写操作
  封装尺寸:18mm x 20mm
  存储器组织:256K地址,每个地址16位数据宽度

特性

IS62WV25616EBLL-45BLI SRAM芯片具有多项优异特性。首先,其45ns的访问时间确保了高速数据读取和写入性能,适合需要快速响应的应用场景。其次,该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,增强了在不同电源环境下的兼容性。此外,该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗,在待机模式下电流小于10mA,适合低功耗系统设计。
  该SRAM芯片采用TSOP封装形式,减少了PCB空间占用,提高了可靠性,适合高密度布局的电路板设计。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于恶劣环境下的应用,如工业控制系统和户外通信设备。
  IS62WV25616EBLL-45BLI提供异步接口,支持16位数据总线宽度,允许高效的数据传输。其引脚排列设计合理,便于与微处理器、控制器或其他主控设备进行连接。由于其并行接口特性,适合需要高带宽数据传输的应用场景,如数据缓存、缓冲存储器、实时数据处理系统等。

应用

IS62WV25616EBLL-45BLI SRAM芯片被广泛应用于多个领域。在工业自动化和控制设备中,它可作为高速缓存或临时数据存储单元,用于提升系统的响应速度和运行效率。在网络设备和通信模块中,该芯片可作为数据缓冲器,用于存储临时通信数据或协议处理信息。在嵌入式系统中,该芯片可作为主控芯片的外部存储器,用于扩展系统内存,提高处理能力。此外,该芯片还可用于测试设备、测量仪器、视频处理设备和消费类电子产品中,满足多种应用场景的需求。

替代型号

IS62WV25616EBLL-45BLL, CY62167EV30LL-45BZXI, IDT71V124SA, 和 A6216H-45GI

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IS62WV25616EBLL-45BLI参数

  • 现有数量930现货
  • 价格1 : ¥29.10000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量4Mb
  • 存储器组织256K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)