IS62WV25616EBLL-45BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),其容量为256K x 16位。这款SRAM芯片设计用于需要高速数据访问和可靠性能的应用场景,广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备、嵌入式系统等领域。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗特性,适用于对功耗敏感的设计。
类型:异步SRAM
容量:256K x 16位(总计4Mbit)
电压范围:2.3V至3.6V
访问时间:45ns
封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
引脚数:54
工作温度范围:-40°C至+85°C(工业级)
接口类型:并行
数据总线宽度:16位
功耗:典型工作电流约180mA(待机电流<10mA)
读写操作:支持异步读写操作
封装尺寸:18mm x 20mm
存储器组织:256K地址,每个地址16位数据宽度
IS62WV25616EBLL-45BLI SRAM芯片具有多项优异特性。首先,其45ns的访问时间确保了高速数据读取和写入性能,适合需要快速响应的应用场景。其次,该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,增强了在不同电源环境下的兼容性。此外,该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗,在待机模式下电流小于10mA,适合低功耗系统设计。
该SRAM芯片采用TSOP封装形式,减少了PCB空间占用,提高了可靠性,适合高密度布局的电路板设计。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于恶劣环境下的应用,如工业控制系统和户外通信设备。
IS62WV25616EBLL-45BLI提供异步接口,支持16位数据总线宽度,允许高效的数据传输。其引脚排列设计合理,便于与微处理器、控制器或其他主控设备进行连接。由于其并行接口特性,适合需要高带宽数据传输的应用场景,如数据缓存、缓冲存储器、实时数据处理系统等。
IS62WV25616EBLL-45BLI SRAM芯片被广泛应用于多个领域。在工业自动化和控制设备中,它可作为高速缓存或临时数据存储单元,用于提升系统的响应速度和运行效率。在网络设备和通信模块中,该芯片可作为数据缓冲器,用于存储临时通信数据或协议处理信息。在嵌入式系统中,该芯片可作为主控芯片的外部存储器,用于扩展系统内存,提高处理能力。此外,该芯片还可用于测试设备、测量仪器、视频处理设备和消费类电子产品中,满足多种应用场景的需求。
IS62WV25616EBLL-45BLL, CY62167EV30LL-45BZXI, IDT71V124SA, 和 A6216H-45GI