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IS62WV25616BLL-55TI 发布时间 时间:2025/9/1 10:07:09 查看 阅读:15

IS62WV25616BLL-55TI 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的容量为256K x 16位,采用高速CMOS工艺制造,具有低功耗和高性能的特点。该封装形式为TSOP,适合于各种嵌入式系统和数据存储应用。该芯片的工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于工业控制、网络设备、通信设备等要求较高的环境。

参数

容量:256K x 16位
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装尺寸:54-TSOP
  最大工作频率:约18MHz
  待机电流:10mA(典型值)
  输入/输出电平:TTL兼容
  数据输出类型:三态

特性

IS62WV25616BLL-55TI 的主要特性包括高速访问时间(55ns),适用于需要快速数据读写的应用。其低功耗设计使其在待机模式下仅消耗少量电流,适合用于电池供电或低功耗设备。该芯片采用TTL兼容的输入/输出电平,便于与多种系统集成。此外,该SRAM具有三态输出功能,可以方便地与其他存储器或外围设备共享数据总线。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,适合高密度电路设计。
  该芯片支持异步操作,不需要时钟信号即可进行读写操作,简化了系统设计。此外,该SRAM具有高可靠性和稳定性,适用于长期运行的工业控制系统和网络设备。由于其宽工作温度范围(-40°C至+85°C),该芯片能够适应各种恶劣环境条件,确保系统在极端温度下的稳定运行。

应用

IS62WV25616BLL-55TI 主要应用于需要高速、低功耗SRAM的场景,如工业控制系统、网络路由器和交换机、通信设备、嵌入式系统、测试设备、医疗设备和消费类电子产品。其异步接口设计使其特别适用于需要简单存储器扩展的微控制器系统。此外,该芯片也可用于图形处理器、图像处理设备和实时控制系统,以提供快速的数据缓冲和存储功能。

替代型号

CY62148EVLL-45ZS, IS62WV25616BLL-55HIR, IDT71V416SA10Y, SST39SF040

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IS62WV25616BLL-55TI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量4 Mbit
  • 组织256 K x 16
  • 访问时间55 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.5 V
  • 最大工作电流15 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP II-44
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量135
  • 类型Asynchronous