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IS62WV12816BLL-55BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:30:13 查看 阅读:11

IS62WV12816BLL-55BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),其容量为128K x 16位。这款SRAM芯片广泛用于需要高性能和低功耗的应用场景,例如工业控制、通信设备和消费类电子产品。该芯片采用CMOS工艺制造,提供异步操作,适合对数据访问速度要求较高的系统。

参数

容量:128K x 16位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns
  工作温度范围:-40°C 至 85°C
  封装类型:54引脚 TSOP
  输入/输出接口:异步
  功耗:典型工作电流约120mA

特性

IS62WV12816BLL-55BLI-TR SRAM芯片具有多项关键特性,使其适用于多种高性能存储应用。其高速访问时间为55纳秒,确保了快速的数据读取和写入能力,适用于需要低延迟的系统设计。
  芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,提供了良好的电源兼容性,可以在不同电源环境下稳定工作。此外,该芯片支持宽温度范围操作,工作温度范围为-40°C至85°C,适合在工业级环境中使用。
  采用CMOS技术制造,IS62WV12816BLL-55BLI-TR在提供高性能的同时,还具备较低的功耗特性,这使得它在电池供电设备或对热管理有要求的应用中表现出色。54引脚TSOP封装形式则有助于节省PCB空间,并提升整体系统集成度。
  该芯片还具有高可靠性,适用于需要长期稳定运行的工业和通信设备。其异步接口设计简化了与多种处理器和控制器的连接,提升了系统的兼容性和灵活性。

应用

IS62WV12816BLL-55BLI-TR SRAM芯片主要应用于需要高速数据存储和低功耗的电子系统中。其典型应用场景包括工业自动化设备、通信模块、网络路由器、测试仪器以及高端消费电子产品。例如,在工业控制系统中,该芯片可以作为缓存或临时数据存储单元,用于快速处理传感器数据和控制信号。在通信设备中,它可用于存储临时数据包和缓冲数据流,以提高数据处理效率。由于其宽温度范围支持,该芯片也适用于户外设备和恶劣环境中的电子系统。此外,在嵌入式系统和便携式设备中,IS62WV12816BLL-55BLI-TR的低功耗特性使其成为理想的存储解决方案。

替代型号

IS62WV12816EDALL-55BLI-TR, CY62148EAV25-55BZS, IDT71V416SA55BHI

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IS62WV12816BLL-55BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量2 Mbit
  • 组织128 K x 16
  • 访问时间55 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.5 V
  • 最大工作电流3 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-44
  • 封装Reel
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量2500
  • 类型Asynchronous