时间：2025/6/20 19:19:12
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GJM0335C1E1R8WB01D 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装技术以提高散热性能和可靠性，适用于电源转换、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
其卓越的开关速度和低导通电阻特性使其在高效率系统中表现优异。同时，这款芯片支持高达 600V 的工作电压，并具有出色的热稳定性和电气性能。
型号：GJM0335C1E1R8WB01D
类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
额定电压：600V
额定电流：35A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷（Qg）：75nC
反向恢复时间（trr）：<10ns
最大结温：175°C
封装形式：TO-247-4L
GJM0335C1E1R8WB01D 具备以下关键特性：
1. 高效开关能力：得益于 GaN 材料的优异性能，此芯片能够在高频下实现低损耗操作。
2. 快速开关速度：极低的反向恢复时间和栅极电荷确保了快速切换和高能效。
3. 热管理优化：通过改进的封装设计，提高了散热效率，从而增强了长期运行稳定性。
4. 安全性保障：内置过流保护机制，可防止因异常负载导致的损坏。
5. 紧凑设计：相比传统硅基 MOSFET，尺寸更小，有助于缩小整体解决方案体积。
这款芯片广泛应用于多种领域：
1. 工业电源供应：用于不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器。
2. 消费电子：笔记本电脑适配器、快充设备。
3. 通信设备：基站电源模块。
4. 电动车及混合动力汽车：车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器。
5. 数据中心：服务器供电单元中的高效能量转换组件。
GJM0335C1E1R8WB01A, GJM0335C1E1R8WB01B
