时间：2025/7/2 13:20:16
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JMK325B7476MM-TR 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供卓越的效率表现。
JMK325B7476MM-TR 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺，广泛用于消费电子、工业控制及汽车电子等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：28A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ
总功耗(Ptot)：12W
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-252 (DPAK)
逻辑电平兼容：支持
JMK325B7476MM-TR 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，适用于高频开关应用。
3. 强大的电流承载能力，确保在高负载条件下的稳定运行。
4. 宽泛的工作温度范围，使其能够在恶劣环境下正常工作。
5. 采用 DPAK 封装形式，便于自动化生产和表面贴装技术 (SMT) 的应用。
6. 逻辑电平栅极驱动兼容性，简化了与微控制器或数字信号处理器的接口设计。
JMK325B7476MM-TR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
3. 汽车电子中的负载开关和继电器替代方案。
4. 工业设备中的功率转换和调节模块。
5. 消费类电子产品中的高效能电源管理系统。
6. LED 照明驱动电路中的关键组件。
JMK325B7478MM-TR, IRF7476, AO3400
