您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > JMK325B7476MM-TR

JMK325B7476MM-TR 发布时间 时间:2025/7/2 13:20:16 查看 阅读:5

JMK325B7476MM-TR 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频应用中提供卓越的效率表现。
  JMK325B7476MM-TR 的封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装工艺,广泛用于消费电子、工业控制及汽车电子等场景。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):28A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  总功耗(Ptot):12W
  工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
  封装:TO-252 (DPAK)
  逻辑电平兼容:支持

特性

JMK325B7476MM-TR 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频开关应用。
  3. 强大的电流承载能力,确保在高负载条件下的稳定运行。
  4. 宽泛的工作温度范围,使其能够在恶劣环境下正常工作。
  5. 采用 DPAK 封装形式,便于自动化生产和表面贴装技术 (SMT) 的应用。
  6. 逻辑电平栅极驱动兼容性,简化了与微控制器或数字信号处理器的接口设计。

应用

JMK325B7476MM-TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和控制电路中的功率级元件。
  3. 汽车电子中的负载开关和继电器替代方案。
  4. 工业设备中的功率转换和调节模块。
  5. 消费类电子产品中的高效能电源管理系统。
  6. LED 照明驱动电路中的关键组件。

替代型号

JMK325B7478MM-TR, IRF7476, AO3400

JMK325B7476MM-TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

JMK325B7476MM-TR参数

  • 标准包装1
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容47µF
  • 电压 - 额定6.3V
  • 容差±20%
  • 温度系数X7R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.106"(2.70mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装Digi-Reel®
  • 引线型-
  • 其它名称587-2781-6