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IS62WV102416DBLL-45TLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:28:37 查看 阅读:30

IS62WV102416DBLL-45TLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为1MB(1024K x 16位),适用于需要高性能和低功耗的应用场景。该芯片采用CMOS技术制造,具备高速访问时间、低功耗运行、宽电压范围等特性,广泛用于通信设备、工业控制、嵌入式系统等领域。

参数

容量:1MB (1024K x 16位)
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:45ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  工作电流(最大):180mA(在3.6V)
  待机电流:10mA
  数据总线宽度:16位
  地址总线宽度:19位

特性

IS62WV102416DBLL-45TLI-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片,具备出色的读写速度和低功耗设计。其访问时间仅为45ns,确保了快速的数据存取能力,适用于对实时性要求较高的系统。芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,使其适用于多种电源管理方案,同时具备工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境下仍能稳定运行。其封装形式为54引脚TSOP,便于在PCB设计中布局和焊接。
  该芯片采用了CMOS工艺,降低了功耗并提高了抗干扰能力,在待机模式下电流仅为10mA,非常适合对功耗敏感的应用。同时,该SRAM芯片支持异步操作,无需时钟信号控制,简化了系统设计,提高了系统的稳定性。其高可靠性设计使其适用于各种工业、通信及嵌入式控制系统中。

应用

IS62WV102416DBLL-45TLI-TR 主要用于需要高速、低功耗、宽电压支持的SRAM应用场景。例如,它可以作为嵌入式系统的高速缓存、工业控制设备中的数据缓冲区、网络通信设备中的临时存储器等。该芯片也广泛应用于医疗设备、测试仪器、图像处理系统等需要大量高速数据存储和处理的场合。此外,由于其工业级温度特性和高可靠性,它也适用于户外设备和车载电子系统。

替代型号

IS62WV102416GBLL-45TLI-TR, CY62148E, IDT71V416S

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IS62WV102416DBLL-45TLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,500 : ¥69.76039卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页45ns
  • 访问时间45 ns
  • 电压 - 供电2.2V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP I