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IXS839AQ2 发布时间 时间:2025/8/6 6:16:51 查看 阅读:33

IXS839AQ2 是一款由 IXYS 公司(现隶属于 Littelfuse)设计的双路、高速、低侧栅极驱动器芯片,专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 等功率半导体器件而设计。该芯片采用双通道结构,适用于高频率、高效率的功率转换系统,如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器和电源管理系统。IXS839AQ2 提供了出色的驱动能力和保护功能,确保在复杂电磁环境下的稳定运行。

参数

封装类型:SOIC-16
  电源电压范围:4.5V 至 25V
  输出驱动电流(峰值):±4.0A(典型值)
  传播延迟时间:45ns(典型值)
  上升/下降时间:5ns(典型值,1000pF负载)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输入逻辑阈值:CMOS/TTL 兼容
  隔离电压:3500VRMS(绝缘等级)
  通道配置:双低侧驱动器

特性

IXS839AQ2 具备多种关键特性,使其在高性能功率电子系统中表现出色。
  首先,该芯片具备高达 ±4.0A 的峰值输出电流能力,能够快速有效地驱动大功率 MOSFET 或 IGBT 器件,从而降低开关损耗并提高系统效率。
  其次,其传播延迟时间仅为 45ns,且通道间的延迟匹配精度高,非常适合高频开关应用。上升和下降时间短至 5ns,在驱动高容性负载时仍能保持良好的响应特性。
  该芯片支持 4.5V 至 25V 的宽电源电压范围,增强了其在不同电源拓扑结构中的适应性。输入信号兼容 CMOS 和 TTL 电平,便于与控制器(如 DSP、MCU 或 FPGA)直接接口。
  IXS839AQ2 采用 SOIC-16 封装,并具备高达 3500VRMS 的隔离电压等级,适用于需要电气隔离的高可靠性系统,如工业自动化、可再生能源逆变器和电动汽车充电系统。
  此外,该器件具备欠压锁定(UVLO)功能,当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出,防止器件在非理想条件下工作,从而提高系统的稳定性和可靠性。
  整体而言,IXS839AQ2 是一款高性能、高可靠性的栅极驱动芯片,适用于要求严苛的工业和电源管理系统。

应用

IXS839AQ2 广泛应用于需要高速、高可靠性驱动功率器件的场合。
  在 DC-DC 转换器中,该芯片可驱动同步整流 MOSFET,提高转换效率;在电机驱动系统中,其快速响应能力和高驱动电流可显著降低开关损耗,提升系统响应速度。
  在光伏逆变器和储能系统中,IXS839AQ2 可用于驱动 IGBT 或 SiC MOSFET,实现高效电能转换。其高隔离电压特性也使其适用于需要电气隔离的高压系统,如电动汽车 OBC(车载充电器)和充电桩设备。
  此外,该芯片还适用于工业自动化控制系统、伺服驱动器、UPS(不间断电源)以及各类高功率开关电源(SMPS)设计。
  由于其优异的抗干扰能力和宽输入电压范围,IXS839AQ2 也适用于存在复杂电磁干扰的工业环境。

替代型号

IXS839AQ2 的替代型号包括 IXS839AI2、IXS839AH2、Si8235BB-D-ISR、UCC27532A、LM5114 等。

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IXS839AQ2参数

  • 标准包装121
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置高端和低端,同步
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间35ns
  • 电流 - 峰2A
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)24V
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳10-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装10-QFN
  • 包装管件