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IS62C1024-70W 发布时间 时间:2025/9/1 8:41:55 查看 阅读:9

IS62C1024-70W 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有1Mbit的存储容量,组织形式为128K x 8位。IS62C1024-70W采用高速CMOS工艺制造,适用于需要高性能和低功耗的工业和通信应用。该芯片采用54引脚TSOP封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适合在各种严苛环境中使用。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:128K x 8位
  访问时间:70ns
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54引脚TSOP
  输入/输出类型:三态输出
  最大工作频率:约143MHz(基于访问时间计算)
  功耗:典型值180mA(工作模式),待机模式下小于10mA

特性

IS62C1024-70W是一款高性能SRAM芯片,具备高速访问时间和低功耗特性。其70ns的访问时间使其适用于高速缓存、数据缓冲和实时系统等应用。芯片采用3.3V单电源供电,降低了系统设计的复杂性并提高了能效。其低待机电流特性(<10mA)有助于在非活跃状态下节省功耗,非常适合电池供电或低功耗要求的设备。
  该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰能力和稳定性,确保数据的可靠读写。54引脚TSOP封装不仅节省空间,还提高了散热性能,适合高密度PCB布局。此外,IS62C1024-70W支持异步操作,能够与多种微处理器和控制器无缝配合使用。
  这款SRAM芯片广泛应用于网络设备、工业控制、通信模块、消费电子等领域,提供稳定可靠的高速存储解决方案。其工业级温度范围确保了在各种恶劣环境下的稳定运行。

应用

IS62C1024-70W被广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的电子系统中。典型应用包括网络设备中的数据缓存、工业控制系统的实时数据存储、通信模块的协议处理缓冲、嵌入式系统的临时数据存储等。此外,它也适用于便携式电子产品、测试仪器、医疗设备以及汽车电子系统中。

替代型号

IS62C1024-70WI, CY62148EV30LL-70ZS, IDT71V416S70PFG, IS61C1024-70W

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