KRC231S-RTK 时间：2025/12/28 14:36:12 阅读：10

KRC231S-RTK 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电子设备中。该器件采用先进的平面条形技术和沟槽栅结构，具有较低的导通电阻和高功率处理能力。适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等多种应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(ON)）：4.5mΩ @ VGS=10V, 6.5mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：134W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

特性

KRC231S-RTK 具备多个显著特性，适用于高要求的功率管理应用。
　　首先，其低导通电阻（RDS(ON)）能够显著减少导通损耗，提高系统效率。在 VGS=10V 时，RDS(ON) 仅为 4.5mΩ，而在 VGS=4.5V 时为 6.5mΩ，这意味着该 MOSFET 可以在较低的栅极驱动电压下仍保持良好的导通性能，适用于多种驱动电路设计。
　　其次，该器件的最大漏极电流可达 120A，在高电流应用中表现优异。结合其较高的功率耗散能力（134W），使其能够在高负载条件下保持稳定运行，适用于需要高功率密度的电源系统。
　　此外，KRC231S-RTK 采用 TO-263（D2Pak）封装，具备良好的热管理和散热性能。该封装形式支持表面贴装工艺，有助于提高 PCB 布局的灵活性和可靠性，尤其适用于高密度电路设计。
　　该 MOSFET 还具有良好的抗雪崩击穿能力，增强了器件在高能量瞬态条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），提高了设计的灵活性，并增强了对不同驱动电路的兼容性。
　　综合来看，KRC231S-RTK 在性能、可靠性和封装设计方面都表现出色，适用于多种高功率和高效率的电子系统。

应用

KRC231S-RTK MOSFET 主要应用于需要高效功率管理的电子设备。在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和高电流处理能力能够显著提高转换效率，适用于服务器电源、通信设备电源模块以及工业控制系统。
　　在电池管理系统中，该 MOSFET 可作为负载开关或保护电路的核心元件，能够快速响应过载或短路情况，确保电池安全。同时，其高耐流能力使其适用于高功率便携式设备，如电动工具、无人机和电动滑板车等。
　　此外，该器件还可用于电机驱动电路，提供高效的功率输出，适用于自动化设备和机器人系统中的电机控制模块。
　　在电源管理模块中，KRC231S-RTK 可用于同步整流、负载开关、电源分配等场景，支持高效能电源设计，尤其适合需要高功率密度和高可靠性的应用场景。
　　由于其优异的热性能和封装形式，KRC231S-RTK 也适用于高密度 PCB 布局的电子产品，如工业控制板、电源适配器和服务器主板等。