时间：2025/9/1 9:46:43
阅读：8
IS61WV6416BLL-12BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution（ISSI）公司生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高速访问特性，适用于需要快速数据读写的应用场景。IS61WV6416BLL-12BLI-TR 采用512K x 16位的存储结构，存储容量为8MB，工作电压为3.3V。该SRAM芯片广泛用于网络设备、通信设备、工业控制系统、嵌入式系统以及需要高速缓存的应用中。
容量：512K x 16位
电压：3.3V
访问时间：12ns
封装：48引脚TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：表面贴装
接口类型：并行异步接口
数据宽度：16位
工作电流：最大50mA（典型值）
待机电流：最大10μA
读写操作模式：异步
封装尺寸：18mm x 12mm
IS61WV6416BLL-12BLI-TR 是一款高性能SRAM芯片，具备低功耗、高速访问和高可靠性等特点。其采用的CMOS工艺使其在保持高速性能的同时，具有较低的功耗水平。该芯片的访问时间仅为12纳秒，适用于对数据访问速度要求较高的应用场合。此外，该芯片支持异步读写操作，能够灵活适应不同的系统设计需求。其512K x 16位的存储结构提供了总计8MB的存储容量，满足多种中等容量数据存储应用的需求。在电源管理方面，芯片在待机模式下电流极低，有助于延长设备的电池寿命。IS61WV6416BLL-12BLI-TR 采用48引脚TSOP封装，具有良好的散热性能和空间适应性，适合在紧凑的电路板设计中使用。此外，该芯片符合工业级温度范围要求（-40°C至+85°C），可在严苛的环境条件下稳定运行。
IS61WV6416BLL-12BLI-TR SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括网络设备、通信设备、嵌入式系统、工业控制设备、图像处理系统、测试测量设备以及汽车电子等。在路由器和交换机中，该芯片可用作高速缓存，提升数据转发效率；在工业控制系统中，可用于实时数据存储和缓存；在图像处理设备中，可为图像缓冲提供高速存储支持。此外，该芯片还可用于高性能单片机系统、FPGA开发平台、数据采集设备以及需要快速随机访问存储的场景。
IS61WV6416BLL-10BLLI-TR, IS61WV6416GBLL-10BLLI-TR
